Herstellerteilenummer | MJD350G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJD350G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJD350G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 300V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | - |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Leistung max | 1.56W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD350G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJD350G-FT |
NJVMJD112T4G
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AT40K10LV-3BQC
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XC3S400A-5FG400C
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XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
5SGSED8N2F45I2
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5SGSMD6N3F45C2N
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LFE3-35EA-6LFN484C
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EP2AGX125EF35I5N
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EPF8452AQC160-4
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EP4SGX180FF35I3
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