Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / NSV60600MZ4T1G
Herstellerteilenummer | NSV60600MZ4T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSV60600MZ4T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSV60600MZ4T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 6A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 60V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 350mV @ 600mA, 6A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 120 @ 1A, 2V |
Leistung max | 800mW |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-261-4, TO-261AA |
Supplier Device Package | SOT-223-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSV60600MZ4T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSV60600MZ4T1G-FT |
MCH6103-TL-E
ON Semiconductor
MCH6121-TL-H
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MCH6122-TL-E
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CPH6153-P-TL-E
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