Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSVB123JPDXV6T1G
Herstellerteilenummer | NSVB123JPDXV6T1G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-NSVB123JPDXV6T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSVB123JPDXV6T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 500mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | SOT-563 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVB123JPDXV6T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSVB123JPDXV6T1G-FT |
NSVBC143ZPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSVB143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC114EPDXV6T1G
ON Semiconductor
EMD5DXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC114EPDXV6T5G
ON Semiconductor
EMD4DXV6T5G
ON Semiconductor
EMD4DXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC115EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA144WDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114YDXV6T1G
ON Semiconductor
XCKU5P-3FFVA676E
Xilinx Inc.
EP2C50U484C7N
Intel
EP3C55F484C8
Intel
5SGXMA4K1F35C1N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-2FFG1156E
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I3N
Intel
EPF6016AFC100-2
Intel