Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSVB143TPDXV6T1G
Herstellerteilenummer | NSVB143TPDXV6T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSVB143TPDXV6T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSVB143TPDXV6T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 357mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | SOT-563 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVB143TPDXV6T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSVB143TPDXV6T1G-FT |
NSVBC114EPDXV6T1G
ON Semiconductor
EMD5DXV6T5G
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NSBC114EPDXV6T5G
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XC4010E-1BG225C
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A3P030-1VQG100I
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M1AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
10CL120ZF484I8G
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10M16DAF484C7G
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5SGSED8K2F40I2N
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5SGXEA3K3F40I4N
Intel
XC7VX690T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3M132C
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