Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / NSVDTA113EM3T5G
Herstellerteilenummer | NSVDTA113EM3T5G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSVDTA113EM3T5G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSVDTA113EM3T5G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 1 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 260mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | SOT-723 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVDTA113EM3T5G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSVDTA113EM3T5G-FT |
MUN5115T1G
ON Semiconductor
MUN5116T1G
ON Semiconductor
MUN5135T1G
ON Semiconductor
MUN5138T1G
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MUN5240T1G
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XC7A50T-2FTG256C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50VFC484-2
Intel
5SGXMA7N2F40C2N
Intel
EP4SE360H29C4N
Intel
LCMXO2-7000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6NES
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel
EP1SGX25FF1020C5N
Intel