Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / MUN5116T1G
Herstellerteilenummer | MUN5116T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MUN5116T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MUN5116T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 202mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Supplier Device Package | SC-70-3 (SOT323) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5116T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MUN5116T1G-FT |
MUN2241T1
ON Semiconductor
NSBA143ZF3T5G
ON Semiconductor
NSBC115TF3T5G
ON Semiconductor
NSBA113EF3T5G
ON Semiconductor
NSBA114EF3T5G
ON Semiconductor
NSBC114TF3T5G
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NSBC143EF3T5G
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NSBA144EF3T5G
ON Semiconductor
NSBC144EF3T5G
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NSBA114YF3T5G
ON Semiconductor
XC3S50AN-4TQG144C
Xilinx Inc.
EX128-FTQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQG100
Microsemi Corporation
EP2AGZ350FH29C4N
Intel
EP3SL340F1760I4L
Intel
5SGSMD5H2F35I3N
Intel
XC4VLX160-10FFG1148I
Xilinx Inc.
EPF10K30AQI208-3
Intel
EPF8820AQC208-3
Intel