Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NSVF6003SB6T1G
Herstellerteilenummer | NSVF6003SB6T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSVF6003SB6T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSVF6003SB6T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 7GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 3dB @ 1GHz |
Gewinnen | 9dB |
Leistung max | 800mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 150mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Supplier Device Package | 6-CPH |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVF6003SB6T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSVF6003SB6T1G-FT |
2SC5065-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
MT3S16U(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5085-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4215-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN3C10FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-4000ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC4010E-3BG225I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
10M08DCF484C7G
Intel
EP3SL200H780C4L
Intel
XC4006E-3PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-256ZE-1UMG64C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-25F-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation