Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSVMUN5111DW1T3G
Herstellerteilenummer | NSVMUN5111DW1T3G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSVMUN5111DW1T3G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSVMUN5111DW1T3G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN5111DW1T3G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSVMUN5111DW1T3G-FT |
NSBC143TPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC143TPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZDXV6T1
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NSBC143ZPDXV6T5
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NSBC143ZPDXV6T5G
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NSBC144EPDXV6T1
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NSBC144EPDXV6T5
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NSVB114YPDXV6T1G
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NSVB123JPDXV6T1G
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NSVB124XPDXV6T1G
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XC2S100-5PQ208I
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M1AFS250-FG256
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LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F40C4N
Intel
10CX150YF672I5G
Intel
5SGSMD6N1F45C2LN
Intel
XC4VLX100-12FF1148C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
EPF10K50RC240-4
Intel
EP20K100QC208-3V
Intel