Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSVMUN5316DW1T1G
Herstellerteilenummer | NSVMUN5316DW1T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSVMUN5316DW1T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSVMUN5316DW1T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN5316DW1T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSVMUN5316DW1T1G-FT |
NSVBC114YDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC124EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA114YDXV6T1G
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NSVBC114YPDXV6T1G
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NSVBC144EPDXV6T1G
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NSBA123JDXV6T5G
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NSBA124XDXV6T1G
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NSVBA114EDXV6T1G
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NSVBA114YDXV6T1G
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NSVBC124XPDXV6T1G
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XC4005E-2TQ144C
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XCS30XL-4VQ100C
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XC2V1000-5FGG456I
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XCKU025-1FFVA1156C
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XA3S1600E-4FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000L-FGG484M
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A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA5H3F35C2N
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A40MX04-2PQG100
Microsemi Corporation