Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / NTJS4160NT1G
Herstellerteilenummer | NTJS4160NT1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NTJS4160NT1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NTJS4160NT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.8A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 2.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.75nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 300mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTJS4160NT1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NTJS4160NT1G-FT |
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