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ON Semiconductor NTLJS1102PTBG

Name: NTLJS1102PTBG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTLJS1102PTBG
Availability: InStock
Rating: 4.9 (808 reviews)

MFG-Teilenummer: NTLJS1102PTBG

verfügbare Anzahl: 35700 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: - MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: NTLJS1102PTBG.pdf

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NTLJS1102PTBG Spezifikationen

Herstellerteilenummer	NTLJS1102PTBG
Zukünftige Teilenummer	FT-NTLJS1102PTBG
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
NTLJS1102PTBG Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	3.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	720mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1585pF @ 4V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	700mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	6-WDFN (2x2)
Paket / fall	6-WDFN Exposed Pad
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTLJS1102PTBG Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	NTLJS1102PTBG-FT

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