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ON Semiconductor NVMFD5C650NLT1G

MFG-Teilenummer
NVMFD5C650NLT1G
verfügbare Anzahl
38110 Stücke
Referenzpreis
USD 0.908512
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
Automotive, AEC-Q101 MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
NVMFD5C650NLT1G.pdf
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NVMFD5C650NLT1G Spezifikationen

Herstellerteilenummer NVMFD5C650NLT1G
Zukünftige Teilenummer FT-NVMFD5C650NLT1G
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie Automotive, AEC-Q101
NVMFD5C650NLT1G Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 21A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 98µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2546pF @ 25V
Leistung max 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall 8-PowerTDFN
Supplier Device Package 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFD5C650NLT1G Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer NVMFD5C650NLT1G-FT

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