Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / P4KE12A-TP
Herstellerteilenummer | P4KE12A-TP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-P4KE12A-TP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
P4KE12A-TP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 10.2V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 11.4V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 16.7V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 24.6A |
Leistung - Spitzenimpuls | 400W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
Supplier Device Package | DO-41 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
P4KE12A-TP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | P4KE12A-TP-FT |
1N6135AUS
Microsemi Corporation
1N6136AUS
Microsemi Corporation
1N6137AUS
Microsemi Corporation
1N6461US/TR
Microsemi Corporation
1N6119A
Microsemi Corporation
TVS305
Microsemi Corporation
TVS310
Microsemi Corporation
TVS312
Microsemi Corporation
TVS315
Microsemi Corporation
TVS318
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel