Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / PDTA113EMB,315
Herstellerteilenummer | PDTA113EMB,315 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PDTA113EMB,315 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PDTA113EMB,315 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 1 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 40mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 150mV @ 1.5mA, 30mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 180MHz |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 3-XFDFN |
Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTA113EMB,315 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PDTA113EMB,315-FT |
NSVDTC113EM3T5G
ON Semiconductor
NSVDTA114EM3T5G
ON Semiconductor
NSVDTC123EM3T5G
ON Semiconductor
NSVDTA143EM3T5G
ON Semiconductor
NSVDTC143ZM3T5G
ON Semiconductor
NSVDTC144EM3T5G
ON Semiconductor
NSVDTA114YM3T5G
ON Semiconductor
NSVDTA123EM3T5G
ON Semiconductor
NSVDTC114YM3T5G
ON Semiconductor
NSVDTC144TM3T5G
ON Semiconductor
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AGL060V5-VQG100
Microsemi Corporation
10M25DCF484I7G
Intel
5SGXEB6R2F40C3
Intel
5SGXMA7H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F1152C2
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC4VLX160-11FF1148C
Xilinx Inc.
EPF8452AQC160-3AC
Intel