Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / PDTA123YMB,315
Herstellerteilenummer | PDTA123YMB,315 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PDTA123YMB,315 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PDTA123YMB,315 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 35 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | 180MHz |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 3-XFDFN |
Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTA123YMB,315 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PDTA123YMB,315-FT |
NSB9435T1G
ON Semiconductor
NSV9435T1G
ON Semiconductor
PDTA113EM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA113ZM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114EM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114TM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114YM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA115EM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA115TM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA123EM,315
Nexperia USA Inc.
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQG208
Microsemi Corporation
LAE5UM-45F-6BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-1N
Intel
EP4S100G3F45I3
Intel
5SGXEB6R2F43C2N
Intel
XC6SLX9-L1CSG225C
Xilinx Inc.
EPF8282ALC84-4
Intel
5SGXEA3H3F35I4N
Intel