Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / PDTA123YMB,315
Herstellerteilenummer | PDTA123YMB,315 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PDTA123YMB,315 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PDTA123YMB,315 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 35 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | 180MHz |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 3-XFDFN |
Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTA123YMB,315 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PDTA123YMB,315-FT |
NSB9435T1G
ON Semiconductor
NSV9435T1G
ON Semiconductor
PDTA113EM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA113ZM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114EM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114TM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114YM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA115EM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA115TM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA123EM,315
Nexperia USA Inc.
A1225A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-5CSG484C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-4FG676C
Xilinx Inc.
MPF300TL-FCVG484E
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-2
Intel
A40MX04-3PL44I
Microsemi Corporation
LFEC1E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel
EP1C20F324C7N
Intel