Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / PEMB17,115
Herstellerteilenummer | PEMB17,115 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-PEMB17,115 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PEMB17,115 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | SOT-666 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMB17,115 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PEMB17,115-FT |
NSVMUN5314DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5211DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5332DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5113DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5216DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5313DW1T3G
ON Semiconductor
MUN5214DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5235DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5314DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5111DW1T3G
ON Semiconductor
XC2S100-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-SWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z2VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CGX110CF23I7N
Intel
5SGXMA5K2F35C1N
Intel
AGL060V5-QNG132
Microsemi Corporation
LFXP10C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F40E3SG
Intel
10AX032E2F27I1SG
Intel