Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / PEMD4,115
Herstellerteilenummer | PEMD4,115 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PEMD4,115 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PEMD4,115 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 200 @ 1mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | SOT-666 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMD4,115 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PEMD4,115-FT |
NSVMUN5215DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5312DW1T2G
ON Semiconductor
SMUN5114DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5214DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5313DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5335DW1T2G
ON Semiconductor
NSBA113EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5314DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5211DW1T3G
ON Semiconductor
XC6SLX16-2FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F27C6N
Intel
5SGSED6K3F40C2L
Intel
EP4SE530F43I3N
Intel
A42MX09-3PL84
Microsemi Corporation
APA450-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-1N
Intel