Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / PEMD9,315
Herstellerteilenummer | PEMD9,315 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PEMD9,315 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PEMD9,315 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | SOT-666 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMD9,315 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PEMD9,315-FT |
NSVMUN5334DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5112DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5116DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5232DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5311DW1T2G
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SMUN5330DW1T1G
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MUN5114DW1T1
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MUN5116DW1T1
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A42MX09-3PQG100
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M2GL025-1VFG256
Microsemi Corporation
EP1K30FC256-2N
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10CX150YF672I5G
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10M04SCE144C7G
Intel
XC5VLX330-2FF1760C
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XA7S25-1CSGA225I
Xilinx Inc.
LFXP2-40E-6FN672I
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LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C2
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