Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / SSVMUN5312DW1T2G
Herstellerteilenummer | SSVMUN5312DW1T2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SSVMUN5312DW1T2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SSVMUN5312DW1T2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 187mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSVMUN5312DW1T2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SSVMUN5312DW1T2G-FT |
NSTB1003DXV5T1G
ON Semiconductor
NSTB1004DXV5T1G
ON Semiconductor
MUN5230DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5336DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5335DW1T2G
ON Semiconductor
MUN5315DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5230DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5131DW1T1G
ON Semiconductor
NSVTB60BDW1T1G
ON Semiconductor
MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
A42MX16-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP2S30F484I4N
Intel
5SGXEA7N3F40I4N
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
A1020B-2PL44I
Microsemi Corporation
XC7A75T-1CS324I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C20F400C8N
Intel
EP1SGX40DF1020C7N
Intel