Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / SSVMUN5312DW1T2G
Herstellerteilenummer | SSVMUN5312DW1T2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SSVMUN5312DW1T2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SSVMUN5312DW1T2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 187mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSVMUN5312DW1T2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SSVMUN5312DW1T2G-FT |
NSTB1003DXV5T1G
ON Semiconductor
NSTB1004DXV5T1G
ON Semiconductor
MUN5230DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5336DW1T1G
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MUN5335DW1T2G
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MUN5315DW1T1G
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SMUN5230DW1T1G
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SMUN5131DW1T1G
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NSVTB60BDW1T1G
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MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
XCKU040-2FBVA900I
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
AT6002LV-4AC
Microchip Technology
EP4CE15M9I7N
Intel
EP3C25F256C7ES
Intel
EP3SL200F1517I4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
XC6VLX365T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
10M04DCU324A7G
Intel