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NXP USA Inc. PHD3055E,118

Name: PHD3055E,118
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PHD3055E,118
Availability: InStock
Rating: 4.6 (809 reviews)

MFG-Teilenummer: PHD3055E,118

verfügbare Anzahl: 57590 Stücke

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Hersteller: NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: PHD3055E,118.pdf

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PHD3055E,118 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	PHD3055E,118
Zukünftige Teilenummer	FT-PHD3055E,118
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchMOS™
PHD3055E,118 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	10.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	5.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	33W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	DPAK
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHD3055E,118 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	PHD3055E,118-FT

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