Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BUK9E2R3-40E,127
Herstellerteilenummer | BUK9E2R3-40E,127 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BUK9E2R3-40E,127 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchMOS™ |
BUK9E2R3-40E,127 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 87.8nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13160pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 293W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | I2PAK |
Paket / fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9E2R3-40E,127 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BUK9E2R3-40E,127-FT |
PSMN5R0-100XS,127
NXP USA Inc.
PSMN5R6-100XS,127
NXP USA Inc.
PSMN7R0-100XS,127
NXP USA Inc.
PSMN7R6-60XSQ
NXP USA Inc.
PSMN8R5-100XSQ
NXP USA Inc.
PSMN9R5-100XS,127
NXP USA Inc.
PMFPB6532UP,115
NXP USA Inc.
PMFPB6545UP,115
NXP USA Inc.
PMFPB8032XP,115
Nexperia USA Inc.
PMFPB8040XP,115
Nexperia USA Inc.
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel