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2SK4066-1E Image

ON Semiconductor 2SK4066-1E

MFG-Teilenummer
2SK4066-1E
verfügbare Anzahl
77680 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
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Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 60V 100A
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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2SK4066-1E Spezifikationen

Herstellerteilenummer 2SK4066-1E
Zukünftige Teilenummer FT-2SK4066-1E
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Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
2SK4066-1E Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12500pF @ 20V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.65W (Ta), 90W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-262-3
Paket / fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SK4066-1E Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer 2SK4066-1E-FT

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