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Herstellerteilenummer | PSMN3R5-40YSDX |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PSMN3R5-40YSDX |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PSMN3R5-40YSDX Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 120A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3245pF @ 20V |
FET-Funktion | Schottky Diode (Body) |
Verlustleistung (max.) | 115W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
Paket / fall | SC-100, SOT-669 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN3R5-40YSDX Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PSMN3R5-40YSDX-FT |
BUK9Y29-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y30-75B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y30-75B/C2,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y38-100E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y3R0-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y41-80E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y43-60E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y4R4-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y4R8-60E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y53-100B,115
Nexperia USA Inc.
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
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Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel
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Intel