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R6020KNZ1C9 Image

Rohm Semiconductor R6020KNZ1C9

MFG-Teilenummer
R6020KNZ1C9
verfügbare Anzahl
78880 Stücke
Referenzpreis
USD 2.416
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
- NCH 600V 20A POWER MOSFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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R6020KNZ1C9 Spezifikationen

Herstellerteilenummer R6020KNZ1C9
Zukünftige Teilenummer FT-R6020KNZ1C9
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
R6020KNZ1C9 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 196 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 231W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-247
Paket / fall TO-247-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
R6020KNZ1C9 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer R6020KNZ1C9-FT

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