Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / R6030KNZ1C9

Rohm Semiconductor R6030KNZ1C9

Name: R6030KNZ1C9
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6030KNZ1C9
Price: 2.848 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (338 reviews)

MFG-Teilenummer: R6030KNZ1C9

verfügbare Anzahl: 37570 Stücke

Referenzpreis: USD 2.848

Unser Preis: Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns

Versanddatum: Wir können heute ausliefern

Hersteller: Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: R6030KNZ1C9.pdf

R6030KNZ1C9 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	R6030KNZ1C9
Zukünftige Teilenummer	FT-R6030KNZ1C9
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
R6030KNZ1C9 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2350pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	305W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-247
Paket / fall	TO-247-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
R6030KNZ1C9 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	R6030KNZ1C9-FT

Wie man bestellt?

Angebotsanfrage - Preis bestätigen - Bestellung - Zahlung - Versand - Fertig

Versandarten

1) DHL (1-3 days)
2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Frachtberechnung: Bitte kontaktieren Sie uns