Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / RA201636XX
Herstellerteilenummer | RA201636XX |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RA201636XX |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RA201636XX Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3600A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 3000A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 22µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 200mA @ 1600V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | DO-200AD |
Supplier Device Package | Pow-R-Disc |
Betriebstemperatur - Übergang | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RA201636XX Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RA201636XX-FT |
BYS11-90HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS12-90HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS12-90HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1D-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1G-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1J-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1K-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1M-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CSA2D-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CSA2G-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel