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Herstellerteilenummer | RF4E070BNTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RF4E070BNTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RF4E070BNTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 7A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.6 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2W (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | HUML2020L8 |
Paket / fall | 8-PowerUDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF4E070BNTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RF4E070BNTR-FT |
RCJ081N20TL
Rohm Semiconductor
RCJ100N25TL
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