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Rohm Semiconductor RF4E070BNTR

MFG-Teilenummer
RF4E070BNTR
verfügbare Anzahl
46990 Stücke
Referenzpreis
USD 0.28224
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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RF4E070BNTR Spezifikationen

Herstellerteilenummer RF4E070BNTR
Zukünftige Teilenummer FT-RF4E070BNTR
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
RF4E070BNTR Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28.6 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 8.9nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 15V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package HUML2020L8
Paket / fall 8-PowerUDFN
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RF4E070BNTR Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer RF4E070BNTR-FT

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