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Herstellerteilenummer | RFD16N05LSM9A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RFD16N05LSM9A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RFD16N05LSM9A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 50V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 16A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47 mOhm @ 16A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 60W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-252AA |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RFD16N05LSM9A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RFD16N05LSM9A-FT |
IXTY08N100P
IXYS
IXTY08N50D2
IXYS
IXTY10P15T
IXYS
IXTY15P15T
IXYS
IXTY18P10T
IXYS
IXTY1N100P
IXYS
IXTY1N120P
IXYS
IXTY1N80
IXYS
IXTY1N80P
IXYS
IXTY1R4N100P
IXYS
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel