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Renesas Electronics America RJK2006DPE-00#J3

Name: RJK2006DPE-00#J3
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK2006DPE-00#J3
Availability: InStock
Rating: 5.0 (378 reviews)

MFG-Teilenummer: RJK2006DPE-00#J3

verfügbare Anzahl: 48530 Stücke

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Hersteller: Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: RJK2006DPE-00#J3.pdf

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RJK2006DPE-00#J3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	RJK2006DPE-00#J3
Zukünftige Teilenummer	FT-RJK2006DPE-00#J3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
RJK2006DPE-00#J3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	40A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	59 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	43nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	100W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	4-LDPAK
Paket / fall	SC-83
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK2006DPE-00#J3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	RJK2006DPE-00#J3-FT

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