Herstellerteilenummer | RM 10V |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-RM 10V |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RM 10V Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.2A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 1.5A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 400V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM 10V Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RM 10V-FT |
RJU60C2TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU60C3TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU60C6TDPP-AJ#T2
Renesas Electronics America
RJU60C6TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RK 14
Sanken
RK 14V
Sanken
RK 16
Sanken
RK 16V
Sanken
RK 19
Sanken
RK 19V
Sanken
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel