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Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV(TL3,T)

Name: RN1106MFV(TL3,T)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1106MFV(TL3,T)
Availability: InStock
Rating: 5.0 (805 reviews)

MFG-Teilenummer: RN1106MFV(TL3,T)

verfügbare Anzahl: 96040 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: - TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: RN1106MFV(TL3,T).pdf

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RN1106MFV(TL3,T) Spezifikationen

Herstellerteilenummer	RN1106MFV(TL3,T)
Zukünftige Teilenummer	FT-RN1106MFV(TL3,T)
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
RN1106MFV(TL3,T) Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
Transistortyp	NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.)	100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)	50V
Widerstand - Basis (R1)	4.7 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)	47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)	500nA
Frequenz - Übergang	-
Leistung max	150mW
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	SOT-723
Supplier Device Package	VESM
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN1106MFV(TL3,T) Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	RN1106MFV(TL3,T)-FT

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