Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / RN1113MFV,L3F
Herstellerteilenummer | RN1113MFV,L3F |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-RN1113MFV,L3F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN1113MFV,L3F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | VESM |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1113MFV,L3F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN1113MFV,L3F-FT |
FJNS4213RBU
ON Semiconductor
FJNS4213RTA
ON Semiconductor
FJNS4214RBU
ON Semiconductor
FJY4014R
ON Semiconductor
FJY4013R
ON Semiconductor
FJY4011R
ON Semiconductor
FJY4010R
ON Semiconductor
FJY4009R
ON Semiconductor
FJY4008R
ON Semiconductor
FJY4007R
ON Semiconductor
A40MX02-VQG80A
Microsemi Corporation
LCMXO2-640ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
10AX027E3F29I2SG
Intel
5SGXEB6R3F43I3L
Intel
10AX115U1F45E1SG
Intel
EPF8282ALC84-3
Intel
EP20K200EBC356-2N
Intel