Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / RN1312(TE85L,F)
Herstellerteilenummer | RN1312(TE85L,F) |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-RN1312(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN1312(TE85L,F) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Supplier Device Package | USM |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1312(TE85L,F) Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN1312(TE85L,F)-FT |
RN1101MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1103MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1105MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1106MFV(TL3,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1109MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1131MFV(TL3,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2118MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2119MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage