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Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FETE85LF
- MFG-Teilenummer
- RN1901FETE85LF
- verfügbare Anzahl
- 13130 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.056032
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kurze Beschreibung
- - TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- RN1901FETE85LF.pdf
RN1901FETE85LF Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | RN1901FETE85LF |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-RN1901FETE85LF |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| RN1901FETE85LF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung max | 100mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RN1901FETE85LF Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | RN1901FETE85LF-FT |
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