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Toshiba Semiconductor and Storage RN1909FE(TE85L,F)

Name: RN1909FE(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1909FE(TE85L,F)
Price: 0.05208 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (740 reviews)

MFG-Teilenummer: RN1909FE(TE85L,F)

verfügbare Anzahl: 26680 Stücke

Referenzpreis: USD 0.05208

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: - TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: RN1909FE(TE85L,F).pdf

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RN1909FE(TE85L,F) Spezifikationen

Herstellerteilenummer	RN1909FE(TE85L,F)
Zukünftige Teilenummer	FT-RN1909FE(TE85L,F)
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
RN1909FE(TE85L,F) Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
Transistortyp	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Stromabnehmer (Ic) (max.)	100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)	50V
Widerstand - Basis (R1)	47 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)	22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce	70 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)	100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang	250MHz
Leistung max	100mW
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package	ES6
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN1909FE(TE85L,F) Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	RN1909FE(TE85L,F)-FT

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