Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / RN1963(TE85L,F)
Herstellerteilenummer | RN1963(TE85L,F) |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-RN1963(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN1963(TE85L,F) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | US6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1963(TE85L,F) Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN1963(TE85L,F)-FT |
IMD10AMT1G
ON Semiconductor
PIMC31,115
Nexperia USA Inc.
PIMD3,115
Nexperia USA Inc.
IMH10AT110
Rohm Semiconductor
IMB9AT110
Rohm Semiconductor
IMH11AT110
Rohm Semiconductor
IMH9AT110
Rohm Semiconductor
PIMN31,115
Nexperia USA Inc.
IMB10AT110
Rohm Semiconductor
IMB11AT110
Rohm Semiconductor
XC4006E-3PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484I
Xilinx Inc.
EP20K200CF672C7ES
Intel
5SGSED8N2F45I3N
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
AGLP030V5-CS289
Microsemi Corporation
AGL1000V2-FGG144T
Microsemi Corporation
EP2AGX260FF35C6NES
Intel
EP4SGX290FF35I4
Intel
EP1SGX25FF1020I6N
Intel