Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / RN1965(TE85L,F)
Herstellerteilenummer | RN1965(TE85L,F) |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RN1965(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN1965(TE85L,F) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | US6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1965(TE85L,F) Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN1965(TE85L,F)-FT |
PIMC31,115
Nexperia USA Inc.
PIMD3,115
Nexperia USA Inc.
IMH10AT110
Rohm Semiconductor
IMB9AT110
Rohm Semiconductor
IMH11AT110
Rohm Semiconductor
IMH9AT110
Rohm Semiconductor
PIMN31,115
Nexperia USA Inc.
IMB10AT110
Rohm Semiconductor
IMB11AT110
Rohm Semiconductor
IMD10AT108
Rohm Semiconductor
LFE2-6E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4013E-2PQ208I
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM4K-SWG25TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-3VQ100
Microsemi Corporation
10M16DCF484I6G
Intel
EP2C5F256I8N
Intel
EP3SL150F1152I4
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.