Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / RN1965(TE85L,F)
Herstellerteilenummer | RN1965(TE85L,F) |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-RN1965(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN1965(TE85L,F) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | US6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1965(TE85L,F) Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN1965(TE85L,F)-FT |
PIMC31,115
Nexperia USA Inc.
PIMD3,115
Nexperia USA Inc.
IMH10AT110
Rohm Semiconductor
IMB9AT110
Rohm Semiconductor
IMH11AT110
Rohm Semiconductor
IMH9AT110
Rohm Semiconductor
PIMN31,115
Nexperia USA Inc.
IMB10AT110
Rohm Semiconductor
IMB11AT110
Rohm Semiconductor
IMD10AT108
Rohm Semiconductor
EX128-PTQ64I
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1TQG176
Microsemi Corporation
EP4CE6F17I7
Intel
XC6VLX240T-1FFG784C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
M2GL060-FGG676
Microsemi Corporation
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel