Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / RN1968(TE85L,F)
Herstellerteilenummer | RN1968(TE85L,F) |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RN1968(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN1968(TE85L,F) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | US6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1968(TE85L,F) Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN1968(TE85L,F)-FT |
PIMD3,115
Nexperia USA Inc.
IMH10AT110
Rohm Semiconductor
IMB9AT110
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IMH11AT110
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PIMN31,115
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