Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / RN2112ACT(TPL3)
Herstellerteilenummer | RN2112ACT(TPL3) |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-RN2112ACT(TPL3) |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN2112ACT(TPL3) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 80mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 100mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-101, SOT-883 |
Supplier Device Package | CST3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2112ACT(TPL3) Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN2112ACT(TPL3)-FT |
RN2409,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1421TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1422TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1423TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1424TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1425TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1426TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1427TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2412TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2413TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage