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Toshiba Semiconductor and Storage RN2712JE(TE85L,F)

Name: RN2712JE(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN2712JE(TE85L,F)
Price: 0.07056 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (703 reviews)

MFG-Teilenummer: RN2712JE(TE85L,F)

verfügbare Anzahl: 12240 Stücke

Referenzpreis: USD 0.07056

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: - TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: RN2712JE(TE85L,F).pdf

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RN2712JE(TE85L,F) Spezifikationen

Herstellerteilenummer	RN2712JE(TE85L,F)
Zukünftige Teilenummer	FT-RN2712JE(TE85L,F)
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
RN2712JE(TE85L,F) Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
Transistortyp	2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Stromabnehmer (Ic) (max.)	100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)	50V
Widerstand - Basis (R1)	22 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)	-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)	100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang	200MHz
Leistung max	100mW
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	SOT-553
Supplier Device Package	ESV
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN2712JE(TE85L,F) Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	RN2712JE(TE85L,F)-FT

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