Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / RN2907(T5L,F,T)
Herstellerteilenummer | RN2907(T5L,F,T) |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RN2907(T5L,F,T) |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN2907(T5L,F,T) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | US6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2907(T5L,F,T) Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN2907(T5L,F,T)-FT |
RN1968FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1969FE(TE85L,F)
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RN2963FE(TE85L,F)
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XC2S100E-6TQ144C
Xilinx Inc.
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
EP4SGX530HH35C3ES
Intel
XC5VLX30T-1FFG665C
Xilinx Inc.
XA6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
5CGXFC4C7U19C8N
Intel
10AX115S3F45E2SG
Intel
EP1S40F780C5N
Intel