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Toshiba Semiconductor and Storage RN2970FE(TE85L,F)

Name: RN2970FE(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN2970FE(TE85L,F)
Availability: InStock
Rating: 4.8 (357 reviews)

MFG-Teilenummer: RN2970FE(TE85L,F)

verfügbare Anzahl: 61030 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: - TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: RN2970FE(TE85L,F).pdf

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RN2970FE(TE85L,F) Spezifikationen

Herstellerteilenummer	RN2970FE(TE85L,F)
Zukünftige Teilenummer	FT-RN2970FE(TE85L,F)
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
RN2970FE(TE85L,F) Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
Transistortyp	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Stromabnehmer (Ic) (max.)	100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)	50V
Widerstand - Basis (R1)	4.7 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)	10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)	100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang	200MHz
Leistung max	100mW
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package	ES6
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN2970FE(TE85L,F) Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	RN2970FE(TE85L,F)-FT

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