Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / RN4987FE,LF(CT
Herstellerteilenummer | RN4987FE,LF(CT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RN4987FE,LF(CT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN4987FE,LF(CT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 250MHz, 200MHz |
Leistung max | 100mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | ES6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN4987FE,LF(CT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN4987FE,LF(CT-FT |
PBLS6023D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS6024D,115
Nexperia USA Inc.
PIMD2,115
Nexperia USA Inc.
PIMD2,125
Nexperia USA Inc.
RN1601(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1604(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1608(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1609(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1610(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2602(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage