Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / RTU002P02T106
Herstellerteilenummer | RTU002P02T106 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RTU002P02T106 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RTU002P02T106 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 250mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 250mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 200mW (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | UMT3 |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RTU002P02T106 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RTU002P02T106-FT |
RSJ450N04TL
Rohm Semiconductor
RSJ800N06TL
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