Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / RU1E002SPTCL
Herstellerteilenummer | RU1E002SPTCL |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RU1E002SPTCL |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RU1E002SPTCL Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 250mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 250mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 200mW (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | UMT3F |
Paket / fall | SC-85 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RU1E002SPTCL Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RU1E002SPTCL-FT |
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