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Herstellerteilenummer | RW2S0CBR200JET |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RW2S0CBR200JET |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | RW |
RW2S0CBR200JET Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Widerstand | 200 mOhms |
Toleranz | ±5% |
Leistung (Watt) | 2W |
Zusammensetzung | Wirewound |
Eigenschaften | Current Sense |
Temperaturkoeffizient | ±90ppm/°C |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Paket / fall | 4122 J-Lead |
Supplier Device Package | SMD J-Lead, Pedestal |
Größe / Abmessung | 0.407" L x 0.226" W (10.34mm x 5.74mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.227" (5.77mm) |
Anzahl der Abbrüche | 2 |
Fehlerrate | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW2S0CBR200JET Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RW2S0CBR200JET-FT |
RW3R5EAR050J
Ohmite
RW3R5EAR100J
Ohmite
RW3R5EAR100JT
Ohmite
RW3R5EAR200J
Ohmite
RW3R5EAR200JT
Ohmite
RW3R5EAR500J
Ohmite
RW3R0DB10R0JET
Ohmite
RW3R0DB24R0JE
Ohmite
RW3R0DB100RJET
Ohmite
RW3R0DB1R00JET
Ohmite
XC3S400A-4FG400C
Xilinx Inc.
XC4044XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F256C7ES
Intel
10M08SCU169C8G
Intel
5SGSMD8N3F45I4
Intel
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE40F29C8L
Intel