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Herstellerteilenummer | RW2S0CBR200JT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RW2S0CBR200JT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | RW |
RW2S0CBR200JT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Widerstand | 200 mOhms |
Toleranz | ±5% |
Leistung (Watt) | 2W |
Zusammensetzung | Wirewound |
Eigenschaften | Current Sense |
Temperaturkoeffizient | ±90ppm/°C |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Paket / fall | 4122 J-Lead |
Supplier Device Package | SMD J-Lead, Pedestal |
Größe / Abmessung | 0.407" L x 0.226" W (10.34mm x 5.74mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.227" (5.77mm) |
Anzahl der Abbrüche | 2 |
Fehlerrate | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW2S0CBR200JT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RW2S0CBR200JT-FT |
RW3R5EAR100J
Ohmite
RW3R5EAR100JT
Ohmite
RW3R5EAR200J
Ohmite
RW3R5EAR200JT
Ohmite
RW3R5EAR500J
Ohmite
RW3R0DB10R0JET
Ohmite
RW3R0DB24R0JE
Ohmite
RW3R0DB100RJET
Ohmite
RW3R0DB1R00JET
Ohmite
RW3R0DB5R00JET
Ohmite
XA3S100E-4TQG144Q
Xilinx Inc.
LFEC6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300E-5UWG81ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFC672-2
Intel
EP4CE6E22C8L
Intel
M1AGL600V2-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8
Intel
EP1S30F1020C7N
Intel