Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / S3DHE3/9AT
Herstellerteilenummer | S3DHE3/9AT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-S3DHE3/9AT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
S3DHE3/9AT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2.5A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 2.5µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AB, SMC |
Supplier Device Package | DO-214AB (SMC) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S3DHE3/9AT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S3DHE3/9AT-FT |
ES3B-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3B/7T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3BHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3BHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3C-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3C-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3C-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3C-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel