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Rohm Semiconductor SCT2280KEC
- MFG-Teilenummer
- SCT2280KEC
- verfügbare Anzahl
- 48790 Stücke
- Referenzpreis
- USD 8.424
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Rohm Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- SCT2280KEC.pdf
SCT2280KEC Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | SCT2280KEC |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-SCT2280KEC |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| SCT2280KEC Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 14A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 364 mOhm @ 4A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.4mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 18V |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 667pF @ 800V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 108W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Paket / fall | TO-247-3 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SCT2280KEC Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | SCT2280KEC-FT |
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