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Rohm Semiconductor SCT2H12NYTB
- MFG-Teilenummer
- SCT2H12NYTB
- verfügbare Anzahl
- 71350 Stücke
- Referenzpreis
- USD 2.9452
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Rohm Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- SCT2H12NYTB.pdf
SCT2H12NYTB Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | SCT2H12NYTB |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-SCT2H12NYTB |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| SCT2H12NYTB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1700V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 18V |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 184pF @ 800V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 44W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-268 |
| Paket / fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SCT2H12NYTB Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | SCT2H12NYTB-FT |
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